Новости за день

SK Hynix начинает выпускать 96-слойную 4D NAND
Компания SK Hynix сообщила, что завершила разработку 96-слойной 512-Гбит памяти NAND TLC и начнёт выпуск этой памяти до завершения текущего года. Новая память получила название 4D NAND, что, по мнению SK Hynix, отражает сочетание двух технологий производства NAND и 96-слойную структуру. Одна из технологий дала возможность переместить управляющие цепи и цепи питания под массив NAND, сократив площадь кристаллов, а вторая технология дополнительно повышает плотность размещения ячеек уже вокруг вертикальных каналов в каждом из 96-ти слоёв. В первом случае речь идёт о технологии PUC (Peri. Under Cell), во втором — о ячейке с ловушкой заряда (Charge Trap Flash). Обе эти технологии не являются уникальными и уже по отдельности реализованы конкурентами SK Hynix. Впрочем, применительно к 96-слойной структуре SK Hynix свела всё вместе действительно первой.

За счёт технологии PUC площадь кристалла 92-слойной 512-Гбит 4D NAND TLC на 30 % меньше кристалла 72-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC, что даёт увеличенный на 49 % выход микросхем 4D NAND с одной пластины. Скорость записи новинки и скорость чтения также увеличены, соответственно на 30 % и на 25 %. Пропускная способность интерфейса 4D NAND TLC выросла до 1200 Мбит/с при напряжении 1,2 В. До конца года компания обещает выпустить на новой памяти 1-ТБ клиентский SSD. Накопитель корпоративного класса на памяти 4D NAND появится примерно через год. Также в 2019 году SK Hynix намерена начать производство 1-Тбит 96-слойных микросхем 4D NAND TLC и 4D NAND QLC.
Автор: GreenCo Дата: 06.11.2018 11:56