DDR2 против DDR: реванш состоялся

Введение

Новые технологии, приходящие на рынок компьютерной техники, редко бывают сразу с восторгом приняты потребителями. Обычно до того, как какая-либо новинка сможет проявить свои преимущества в полной мере, должен пройти некий период адаптации, в течение которого пользователи сокрушаются о том, как "раньше всё было хорошо, а теперь стало плохо", а производители "доводят до кондиции" параметры своих новых продуктов. Так произошло и с недавно появившейся на рынке новой платформой LGA775 от Intel. Как было показано нами в нескольких тестированиях, при использовании процессоров с одинаковой тактовой частотой новая платформа LGA775 не обеспечивала более высокую производительность, нежели привычные Socket 478 системы. Объяснялось это тем, что наборы логики, использующиеся в LGA775 системах, ориентированы на работу с памятью нового типа DDR2 SDRAM, а эта память до недавнего времени проигрывала в скорости работы привычной DDR SDRAM. В результате, продвинутые пользователи и энтузиасты воспринимали системы, основанные на новых наборах логики i915 и i925 "в штыки", говоря о том, что проверенные временем чипсеты i875/i865 обеспечивают более высокий уровень быстродействия. Положение не спасала и графическая шина PCI Express x16, реализованная в чипсетах нового поколения от Intel. Несмотря на все её теоретические преимущества, включая и значительно возросшую пропускную способность, практически эти плюсы почувствовать невозможно: видеоускорители с интерфейсом AGP 8x не отстают от их PCI Express x16 аналогов.
Вообще говоря, Intel, производители материнских плат и графических карт, прилагают достаточно серьёзные усилия к тому, чтобы подтолкнуть пользователей к переходу на новую платформу. Так, все новые и скоростные процессоры Pentium 4 анонсируются исключительно в LGA775 вариантах, аналогично поступают и производители видеокарт, предлагая свои новинки исключительно снабжёнными PCI Express x16 интерфейсом. Однако, пока этих двух аргументов для пользователей недостаточно. Многие приложения требуют от системы и высокой производительности памяти, а этой характеристикой DDR2 SDRAM, используемая в LGA775 платформах, до недавнего времени похвастать не могла.
Впрочем, ситуация на компьютерном рынке меняется стремительно. Совсем недавно мы ругали DDR2 SDRAM за её низкую скорость по сравнению с обычной DDR памятью, но сегодняшний материал будет посвящен, наоборот, рассказу о том, что DDR2 SDRAM может работать быстрее предшественницы.

DDR2: теоретические основы

Для понимания основных плюсов и минусов использования DDR2 SDRAM по сравнению с традиционной DDR SDRAM, необходимо кратко познакомиться с её архитектурой. Прежде всего, заметим, что по сути DDR2 память не имеет кардинальных отличий от DDR SDRAM. Однако в то время как DDR SDRAM осуществляет две передачи данных по шине за такт, DDR2 SDRAM выполняет четыре таких передачи. При этом построена DDR2 память из таких же ячеек памяти, что и DDR SDRAM, а для удвоения пропускной способности используется техника мультиплексирования.


Само по себе ядро чипов памяти DDR2 продолжает работать на той же самой частоте, на которой оно работало и в DDR и в SDR SDRAM. Однако в DDR2 SDRAM увеличилась частота работы буферов ввода вывода, а также по сравнению с обычной DDR в два раза расширилась шина, связывающая ядро памяти с буферами. Таким образом, на буфера ввода-вывода возлагается задача мультиплексирования. Данные, поступающие из ячеек памяти по широкой шине, уходят из них по шине обычной ширины, но с частотой вдвое превышающей частоту шины DDR SDRAM. Таким нехитрым способом достигается возможность очередного увеличения пропускной способности памяти без увеличения частоты работы самих ячеек памяти. То есть, фактически, ячейки памяти DDR2-533 работают с той же частотой, что ячейки памяти DDR266 SDRAM или PC133 SDRAM, а переход от DDR SDRAM к DDR2 SDRAM по сути аналогичен переходу от SDR SDRAM к DDR SDRAM.
Однако столь простой метод увеличения пропускной способности памяти имеет и свои отрицательные стороны. В первую очередь – это рост латентности. Очевидно, что латентность не определяется ни частотой работы буферов ввода-вывода, ни шириной шины, по которой данные поступают из ячеек памяти. Первоочередной фактор, определяющий латентность – это латентность самих ячеек памяти. Таким образом, латентность DDR2-533 сравнима с латентностью DDR266 или PC133 SDRAM и, очевидно, уступает латентности DDR памяти, работающей с частотой 400 МГц и более. Таким образом, DDR2 SDRAM, хотя и обеспечивает более высокую пропускную способность, чем DDR SDRAM, её латентность оказывается несколько выше латентности предшественницы. Именно этим и обуславливается тот факт, что в реальных приложениях системы, снабжённые DDR2 памятью, нередко проигрывают по быстродействию системам с DDR SDRAM. Большинство приложений критично относится не только к скорости поступления данных для обработки, но и ко времени выборки этих данных.
Помимо увеличения частоты работы буферов ввода-вывода и использования вдвое большего коэффициента мультиплексирования, есть у DDR2 памяти и другие отличия, которые, впрочем, не имеют такого же ключевого значения. Поэтому, просто приведём их в виде таблицы:


Фактически, среди перечисленных нововведений выделить особо стоит лишь механизм Additive Latency и встроенную в чипы терминацию шины. Благодаря механизму Additive Latency несколько увеличивается эффективность передачи данных: данный алгоритм решает изредка встречающуюся с DDR SDRAM проблему с невозможностью одновременной подачи команд на чтение инициализированного банка памяти и инициализацию следующего банка. Впрочем, на реальной производительности данное нововведение сказывается совсем незначительно.
Что же касается on-die termination, то теперь терминирующие шину резисторы, предназначенные для гашения отраженных от конца шины сигналов, располагаются не на материнской плате, а непосредственно в чипах. С одной стороны это позволяет улучшить саму терминацию, а с другой - несколько удешевить материнские платы благодаря отсутствию необходимости установки большого числа резисторов в окрестности слотов DIMM.
Чипы DDR2 SDRAM имеют FBGA упаковку – это явно оговаривается на уровне спецификации. Использование корпусировки такого типа позволяет более эффективно организовать теплоотвод, а также минимизировать взаимное электромагнитное влияние чипов друг на друга. Помимо сменившегося типа упаковки чипов (напомним, что большинство чипов DDR SDRAM упаковывалось в TSOP), чипы DDR2 SDRAM имеют меньшее напряжение питания, и, как следствие, примерно на 30% меньшее тепловыделение. В частности, именно поэтому вполне реальным становится создание чипов DDR2 большей ёмкости и частоты, чем в случае с DDR SDRAM.

Что изменилось: уменьшенная латентность DDR2

Таким образом, слабым местом технологии DDR2, из-за которого системы, снабжённые памятью этого типа, проигрывают системам с DDR памятью, является более высокая латентность. Именно поэтому основным направлением, на котором сосредоточили свои усилия производители памяти, заинтересованные в популяризации DDR2 SDRAM, стало уменьшение латентности. И, надо сказать, определённые успехи на этом поприще были достигнуты.
Первые модули DDR2-533 SDRAM, которые были доступны с момента анонса чипсетов семейств i925 и i915, имели тайминги 4-4-4 (CAS Latency - RAS to CAS Delay - RAS Prechage Time). Сегодня же многие производители памяти, в особенности производители модулей для энтузиастов, такие как Corsair или OCZ, предлагают модели DDR2 SDRAM, способные работать при частоте 533 МГц с таймингами 3-3-3. Причём, это не разгон, а официально утверждённый JEDEC стандарт. В рамках официально утверждённой спецификации предусмотрена модификация DDR2-533 с таймингами 3-3-3, но с повышенным до 1.9В напряжением питания.
Использование в LGA775 системах DDR2-533 SDRAM с таймингами 3-3-3 было одобрено и Intel. Компания официально подтвердила совместимость своих новых чипсетов с такой памятью и специально подчеркнула, что эта память будет являться наилучшим выбором для энтузиастов, стремящихся достичь наивысший уровень производительности. Понять Intel несложно: даже с теоретических позиций совершенно понятно, что уменьшение латентности CAS DDR2-533 до 3 циклов может позволить значительно усилить параметры DDR2:


Как видим, DDR2-533 SDRAM c таймингами 4-4-4 с точки зрения латентности проигрывает повсеместно распространённой DDR400 SDRAM в полтора раза. Сомнительно, что 30-процентный рост пропускной способности способен компенсировать такое ухудшение времени выборки. Однако уменьшение таймингов DDR2-533 до 3-3-3 значительно снижает латентность и она становится лишь на 12% хуже латентности DDR400 SDRAM с таймингами 2-3-2. В итоге, учитывая что пропускная способность DDR2-533 SDRAM превышает пропускную способность DDR400 SDRAM, можно ожидать, что системы с DDR2 памятью с пониженными таймингами уже не будут проигрывать системам c памятью стандарта DDR1.
Также хочется отметить, что на достижении таймингов 3-3-3 эволюция DDR2-533 не закончилась. Компания OCZ, например, освоила выпуск DDR2 памяти c ещё более агрессивными задержками. Их новый продукт, PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, имеет тайминги 3-2-2. Очевидно, что LGA775 платформы с такой памятью могут составить очень серьёзную конкуренцию платформам, в которых используется обычная DDR SDRAM.
Кроме того, ещё один шаг в сторону увеличения скорости LGA775 сделали и производители материнских плат. Многие платы для энтузиастов на базе наборов логики i915/i925, производимые такими компаниями как ASUS, ABIT и пр. позволяют использовать DDR2 память на частоте 600 МГц вместо 533 МГц. Реализуется эта возможность путём задействования недокументированных делителей для частоты памяти, заложенных в чипсетах i925/i915. Хотя утверждённого стандарта на DDR2-600 не существует, использование памяти в таком режиме может позволить не только увеличить пропускную способность подсистемы памяти, но и несколько снизить её латентность по сравнению с DDR2-533 с таймингами 4-4-4.
Так как производители памяти для энтузиастов предлагают не только DDR2-533 память с низкими таймингами, но и модули DDR2-667, способные работать на частотах 600 и 667 МГц, использование LGA775 систем совместно с памятью с частотой 600 МГц также может представлять определённый практический интерес.
В рамках данного материала мы посмотрим, какую скорость на практике способны продемонстрировать LGA775 системы, будучи оснащенными более скоростной, нежели DDR2-533 SDRAM с таймингами 4-4-4, памятью, которую мы использовали для наших тестов ранее. В первую очередь нас будет интересовать вопрос: сможет ли более прогрессивная DDR2 SDRAM память поднять производительность систем на базе i915/i925 до уровня быстродействия, демонстрируемого платформами на базе чипсетов i875/i865. Также, мы познакомимся и с некоторыми моделями DDR2 SDRAM для энтузиастов, благодаря которым мы получили возможность ускорить платформу LGA775.

ASUS + Corsair: i865PE поддерживает DDR533 SDRAM

Говоря об успехах DDR2 SDRAM, выражающихся в росте скорости и уменьшении латентности памяти этого типа, не следует забывать и о том, что производители памяти и материнских плат продолжают развивать и свои DDR-продукты. Впрочем, развитие в этой области не такое бурное, как у DDR2, хотя бы по той причине, что стандарты JEDEC, относящиеся к DDR SDRAM, уже достаточно давно не меняются. Кроме того, с покорением таймингов 2-2-2 окончилось и развитие DDR400 SDRAM. То есть, казалось бы, у систем на базе чипсетов i865 и i875 внутренних резервов не осталось и они достигли своей пиковой производительности.
Однако, это не совсем так. Дело в том, что производители памяти, успешно освоив производство DDR400 SDRAM модулей с таймингами 2-2-2, целиком переключились на создание модулей памяти DDR, способных работать при более высоких, чем 400 МГц, частотах. Так, на данный момент на рынке доступна даже DDR600 память, способная работать при частоте 600 МГц. Однако такие модули могут быть интересны разве только оверклокерам, поскольку в штатном режиме ни один из наборов логики не поддерживает память с частотой, превышающей 400 МГц.
К счастью, этой проблемой озаботились некоторые производители материнских плат. Использовав недокументированные возможности набора логики i865PE, инженерам удалось заставить функционировать этот чипсет с памятью, работающей на частоте 533 МГц. Причём, в штатном режиме, то есть при частоте шины 200 МГц. Одной из плат, в которой такая возможность нашла своё воплощение на практике, стала ASUS P4P800-E Deluxe для Socket 478 процессоров. К слову, аналогичными возможностями обладает и ASUS P5P800 – LGA775 плата на базе i865PE. Таким образом, системы, основанные на наборе логики i865PE, стали совместимы с более быстрой оверклокерской памятью DDR533 SDRAM в штатном для процессора режиме.
Впрочем, до недавнего времени применение DDR533 SDRAM в i865PE системах не приносило особых плодов. В этом, например, мы убедились воочию в нашей статье "Самая быстрая платформа для Pentium 4: сравниваем i925, i915, i875 и i865 при работе с DDR2-533, DDR2-400, DDR533 и DDR400 SDRAM". По результатам тестов, полученных в середине лета, система на базе i865PE при работе с DDR533 SDRAM не смогла продемонстрировать более высокую производительность, чем аналогичная система, укомплектованная DDR400 SDRAM с таймингами 2-2-2.
Однако, с тех пор ситуация изменилась. Тогда мы использовали DDR533 SDRAM с задержками 3-4-4, поскольку более быстрые модули не были доступны на рынке. Однако на сегодняшний день производители памяти для энтузиастов освоили выпуск модулей DDR памяти, способных работать на частоте 533 МГц с более низкими таймингами 2.5-3-3. Очевидно, что использование таких модулей памяти может вывести производительность платформ, основанных на чипсете i865PE, на новый качественный уровень.
Чтобы мы смогли убедиться в этом, компания Corsair, один из ведущих производителей модулей памяти для энтузиастов, предоставила нам свои модули TWINX1024-4400C25.

Эти модули рассчитаны на работу на частоте 550 МГц при таймингах 2.5-4-4 и напряжении 2.75 В, однако при снижении частоты до 533 МГц они демонстрируют совершенно устойчивую работу и при более агрессивных таймингах 2.5-3-3.
Таким образом, благодаря материнской плате ASUS P4P800-E Deluxe и модулям памяти Corsair TWINX1024-4400C25 нам удалось собрать i865PE платформу, работающую при штатной частоте шины 200 МГц, но с высокоскоростной памятью DDR533 с таймингами 2.5-3-3.

DDR2 SDRAM против DDR SDRAM: результаты тестов

Пришло время вновь "столкнуть лбами" две платформы: i875/i865 с DDR памятью и i925/i915 с памятью типа DDR2. В данном случае мы посмотрим, как изменилась производительность систем, в основе которых лежат данные платформы, с изменением таймингов памяти. В обоих платформах мы использовали идентичные процессоры и видеокарты: разница между ними заключалась, фактически, лишь в типе используемой памяти. Платформа i875/i865 основывалась на материнской плате ASUS P4P800-E Deluxe на базе чипсета i865PE (использовать плату с чипсетом i875P в данном случае особого смысла не было: эта материнка показывает такой же уровень производительности благодаря технологии HyperPath), а платформа i925/i915 базировалась на плате ABIT AA8 DuraMAX с чипсетом i925X Express.
В итоге, тестовые системы, участвующие в этом сравнении составлялись из следующего набора компонентов:

Процессоры:

Intel Pentium 4 550J (LGA775, 3.4 GHz);
Intel Pentium 4 3.4E GHz (Socket 478, Prescott).

Материнские платы:

ABIT AA8 Duramax (LGA775, i925X Express).
ASUS P4P800-E Deluxe (Socket 478, i865PE).

Графические карты:

Sapphire RADEON X800 XT (AGP 8x);
Sapphire RADEON X800 XT (PCI-E x16).

Дисковая подсистема:

Maxtor MaXLine III 250GB (SATA150).

Обратимся же к результатам тестов. В первую очередь посмотрим на результаты, которые показывают синтетические бенчмарки подсистемы памяти.


Первое, что бросается в глаза при изучении результатов синтетических тестов, это то, что измеренная нами практическая пропускная способность различных типов памяти не сильно отличается друг от друга. В этом нет ничего удивительного: просто не следует забывать о том, что тесты не в состоянии измерить "чистую" пропускную способность памяти. Приведённые цифры – это практическая пропускная способность магистрали процессор-память. А узким местом на этой магистрали является не сама память, а процессорная шина, теоретическая пиковая пропускная способность которой при частоте 200 МГц ограничивается сверху величиной 6.4 Гбайт в секунду. Поэтому, весь свой потенциал в части пропускной способности протестированная память раскрыть не в состоянии.
Тем не менее, зависимость пропускной способности от типа используемой памяти и её характеристик всё же прослеживается. Наивысший результат демонстрирует DDR2-533 память с таймингами 3-2-2. Чуть отстаёт от неё DDR2-600 и DDR533. Пропускная способность подсистемы памяти при использовании DDR2-533 с таймингами 3-3-3 оказывается примерно равной пропускной способности подсистемы памяти, в которой использована DDR400 SDRAM. А DDR2-533 SDRAM с таймингами 4-4-4, которую мы использовали для тестов ранее, и вовсе показывает наихудшую пропускную способность по данным синтетических тестов.
Что же касается латентности, то с точки зрения этой характеристики вновь выигрывает редкая DDR2-533 с таймингами 3-2-2. Более распространённая DDR2-533 c таймингами 3-3-3 по латентности показывает результат, примерно равный результату обычной DDR памяти. A DDR2-600, как и DDR2-533 c таймингами 4-4-4 составляют группу аутсайдеров.
Таким образом, основываясь на приведённых данных синтетических тестов можно говорить о том, что уменьшение таймингов DDR2-533 памяти способно поднять производительность LGA775 систем выше производительности старых платформ, в которых используются чипсеты i865/i875. Появившаяся же DDR533 SDRAM память с низкими таймингами 2.5-3-3 положение не спасает, хотя её применение прибавляет скорости платформам прошлого поколения. Что же касается искусственно введённого режима DDR2-600, то его применение смысла лишено: производительности он не прибавит.
Давайте посмотрим теперь, как же будут вести себя различные типы памяти в реальных приложениях.

Эпоха первенства платформ, в которых используется DDR SDRAM, проходит. Латентность DDR2 SDRAM приближается к латентности DDR SDRAM, и поэтому теперь результаты платформ с более новой памятью выглядят вполне презентабельно. Фактически, мы можем говорить о том, что DDR2-533 с таймингами 3-3-3 выводит производительность систем на чипсетах i925/i915 на новый уровень. Использование такой памяти с более агрессивными таймингами даёт возможность платформам, построенным на новых чипсетах от Intel, показать более высокую производительность, чем системам, в основе которых лежат чипсеты предыдущего семейства i875/i865.
Причём, положение i865/i875 не спасает даже применение новой DDR533 SDRAM с агрессивными задержками 2.5-3-3. Хотя, нельзя отрицать тот факт, что использование такой памяти позволяет увеличить скорость платформ предыдущего поколения.
Как нами было замечено выше, гораздо больший эффект на рост производительности в DDR2 системах оказывает уменьшение латентности, чем увеличение частоты. Фактически, при использовании в i925/i915 системе DDR2-600 SDRAM мы не получаем практически никакого выигрыша.
Таким образом, памятью, обеспечивающей на сегодняшний день максимальную производительность в системах для процессоров Intel, становится DDR2-533 SDRAM с таймингами ниже 3-3-3. Причём, чем ниже эти тайминги, тем выше производительность.

DDR2 память для энтузиастов

Придя к выводу о том, что хорошая новая DDR2 память может поднять уровень производительности LGA775 платформ, мы решили посмотреть на те продукты, которые предлагают сегодня ведущие производители памяти для энтузиастов. На наш призыв предоставить нам свои модули DDR2 SDRAM для тестирования откликнулись четыре производителя, в числе которых Corsair, OCZ, PQI и GeIL. Ниже мы познакомим вас с теми продуктами, тестирование которых нам удалось провести в рамках этого материала.

Corsair CM2X512-5300C4PRO (5300C4PRO)

Компания Corsair, являющаяся, пожалуй, наиболее популярным производителем памяти для энтузиастов (по крайней мере об этом говорят итоги опроса, проведённого нами в прошлом году), предоставила нам на тестирование "верхнюю" модель своей DDR2 памяти. Это – пара 512-мегабайтных модулей Corsair CM2X512-5300C4PRO, как обозначено на самом модуле. При этом следует оговориться, что на своём сайте Corsair называет эти же модули как CM2X512-5400C4PRO, и это несоответствие следует иметь в виду.

Память от Corsair представляет собой пару модулей DDR2 SDRAM, рассчитанную на работу на частоте 675 МГц при таймингах 4-4-4-12 и при напряжении 1.9В.
Модули DDR2, поставляемые Corsair, проходят предварительное тестирование в указанных условиях (на частоте 675 МГц с таймингами 4-4-4-12 и напряжением) на материнской плате ABIT AA8 DuraMAX и снабжаются пожизненной гарантией.
Модули снабжены массивными алюминиевыми радиаторами с высотой, несколько превышающей обычную. Это может на некоторых материнских платах препятствовать использованию этих моделей с процессорными кулерами, расширяющимися кверху, например с Zalman CNPS7700. Радиаторы держатся на модулях с помощью специального теплопроводящего клейкого состава, нанесённого на чипы памяти.
Фирменной особенностью модели CM2X512-5300C4PRO, что нашло отражение в присутствии индекса PRO в маркировке, является наличие на верхней грани модулей девяти светодиодов зелёного, желтого и красного цветов, отражающих степень загрузки модулей работой. Поэтому эти модули в первую очередь понравятся моддерам: дополнительная иллюминация на модулях DIMM смотрится очень привлекательно.


В SPD модулей обнаруживается информация лишь об одном режиме их работы: на частоте 667 МГц с таймингами 4-5-5-15. Впрочем, это совершенно не препятствует возможности использования этих модулей в более агрессивных режимах, тем более что в процессе практического тестирования они показали себя с очень хорошей стороны.

GeIL PC2-5300

Компания GeIL также откликнулась на нашу просьбу и предоставила для тестов свою пару 512-мегабайтных модулей PC2-5300. Эти модули, как указано на сайте производителя, рассчитаны на использование на частоте 667 МГц с таймингами 4-4-4-12 при напряжении питания 1.9В.
Как утверждает производитель, модули основаны на специально разработанной PCB, отличающейся низким уровнем электромагнитных помех.
Закрыты модули алюминиевым радиатором с наклеенным на них логотипом компании-производителя и наклейкой с маркировкой. Радиаторы держатся на чипах посредством клейкой теплопроводящей прокладки. Заметим, что ряд своих модулей GeIL снабжает специальной наклейкой, рапортующей о температуре радиатора. Однако, полученные нами модули GeIL PC2-5300, к сожалению, оказались без такой наклейки.


SPD модулей заполнена более основательно, чем у Corsair, однако, дату производства GeIL всё-таки не сообщает. Согласно информации из SPD, данные модули могут функционировать на частоте 533 МГц с таймингами 4-4-4-12 и на частоте 667 МГц с таймингами 5-4-4-15. Это – несколько худшие параметры, чем GeIL сообщает в спецификации. Наше же практическое тестирование выявляет, что права относительно параметров всё-таки микросхема SPD, а не информация, указанная на сайте производителя. То есть, на частоте 667 МГц при таймингах 4-4-4-12 PC2-5300 от GeIL, к сожалению, не работает.

OCZ PC2 4300

Компания OCZ в последнее время проводит достаточно агрессивную маркетинговую политику, поэтому в нашей лаборатории оказались сразу две пары модулей от этого производителя. Первая пара - OCZ PC2 4300. Эти модули не представляют собой что-то особенное и рассчитаны на работу при частоте 266 МГц с таймингами 4-4-4-12 при штатном для DDR2 памяти напряжении 1.8В.
Впрочем, при этом эта пара модулей выполнена в соответствии со всеми традициями компании OCZ Technology. Модули оттестированы вручную на соответствие заявленным характеристикам и на них даётся пожизненная гарантия.
Модули OCZ PC2 4300 снабжены отполированными до зеркального состояния медными радиаторами, которые закреплены посредством двух стальных зажимов.


Данные модули по своим заявленным параметрам не отличаются от основной массы DDR2-533 памяти, представленной на рынке, и их "элитность" не проявляется при просмотре содержимого SPD. Как можно видеть на представленном выше скриншоте, производитель допускает работу этих модулей при частоте 533 МГц как при таймингах 4-4-4-11, так и при более "слабых" задержках 5-4-4-11.
Впрочем, где-то родовитое происхождение этих модулей всё-таки должно было сказаться. Так, при практическом тестировании эти модули проявили потрясающую универсальность и смогли работать в большом количестве разнообразных режимов.

OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum

Вторая, полученная нами от OCZ пара модулей DDR2, представляет собой настоящий шедевр. Эта память, носящая имя OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, отличается от конкурирующих продуктов в первую очередь экстремально низкими таймингами. Так, при частоте 533 МГц штатным режимом для этих модулей является их использование с задержками 3-2-2-8, что должно позволить этой памяти продемонстрировать выдающуюся производительность.
Модули OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum также выделяются и медными радиаторами с зеркальным напылением платинового цвета и поддержкой технологии Extended Voltage Protection, позволяющей безопасное использование этих модулей при рабочих напряжениях до 2.2 В.
Естественно, на модули распространяется пожизненная гарантия, а перед упаковкой и поставкой потребителям они проходят ручное тестирование на соответствие заявленным параметрам.


Информация, записанная в SPD, подтверждает официальную спецификацию: эти модули работоспособны при частоте 266 МГц с таймингами 3-2-2-8. Практическое же исследование этих модулей показывает, что помимо низких таймингов они могут похвастать и отличной работоспособностью на повышенных частотах.
Впрочем, в этой бочке мёда от OCZ не обошлось и без ложки дёгтя. Как показало тестирование, эти модули не совместимы с некоторыми материнскими платами. Например, ABIT AA8 DuraMAX при установке в неё OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum напрочь отказывалась стартовать.

PQI25400

Компания PQI, как производитель памяти известна не столь широко, как те же Corsair и OCZ. Тем не менее, этот производитель в последнее время проявляет достаточно большое желание закрепиться в рядах ведущих производителей памяти для энтузиастов. Для нашего тестирования компания PQI представила пару модулей PQI25400, рассчитанных на работу на частоте 667 МГц при таймингах 4-4-4-12 и напряжении питания 2В.
Подобно именитым производителям оверклокерской памяти, компания PQI предварительно тестирует все свои модули на специальном оборудовании и распространяет на них пожизненную гарантию.
Радиаторы, применённые на памяти от PQI, тоже выглядят достаточно солидно. Тепло от чипов отводится двумя медными пластинами с зеркальным напылением, прижатыми массивным стальным зажимом с логотипом производителя.


Несмотря на то, что модули PQI25400 ориентированы на работу при частоте 667 МГц, информации об этом в SPD нет. В качестве максимальной частоты для этой памяти указано 533 МГц, тайминги для этого режима рекомендуется устанавливать в 4-4-4-11 или 5-4-4-11. Однако, как показало практическое тестирование, при частоте 667 МГц модули PQI25400 всё-таки работают, так что в данном случае права официальная спецификация этих моделей, а не информация, занесённая в микросхему SPD.

Модули DDR2 SDRAM для энтузиастов: тестирование производительности

Целью данного тестирования являлось выяснение того уровня производительности, который могут продемонстрировать различные предоставленные нам производителями модули памяти. В рамках этого теста мы выставляли все тайминги памяти в значения по умолчанию (по SPD) и смотрели на производительность LGA775 систем при частотах на шине памяти 533 и 667 МГц. Эти частоты были получены путём использования стандартного делителя для частоты памяти относительно частоты FSB 3:4 и частотах FSB 200 и 250 МГц. То есть, работа памяти в режиме DDR2-533 оценивалась нами в штатном для процессора режиме, а работу модулей памяти в качестве DDR2-667 мы проверяли при разгоне частоты FSB до 250 МГц, при котором частота памяти как раз достигает 667 МГц.
Для тестирования модулей памяти в штатном режиме при частоте 533 МГц мы использовали "референсную" материнскую плату на чипсете i925XE Express Intel Desktop Board D925XECV2. Для тестирования же в памяти оверклокерском режиме DDR2-667 при частоте FSB 250 МГц мы прибегли к использованию платы ASUS P5AD2-Е Premium, также основанной на наборе логики i925XE и имеющей неплохие возможности для разгона процессора.
При тестировании в штатном режиме был использован процессор Intel Pentium 4 550J с номинальной частотой 3.4 ГГц, а для тестирования в оверклокерском режиме нами использовался Pentium 4 520J, разогнанный до частоты 3.5 ГГц (14 x 250 МГц).
Таким образом, состав тестовых систем для этого испытания формировался из следующего набора комплектующих:

Процессоры:

Intel Pentium 4 550J (LGA775, 3.4 GHz);
Intel Pentium 4 520J (LGA775, 2.8 GHz).

Материнские платы:

Intel Desktop Board D925XECV2 (LGA775, i925XE);
ASUS P5AD2-Е Premium (LGA775, i925XE).

Графическая карта Sapphire RADEON X800 XT (PCI-E x16).
Дисковая подсистема Maxtor MaXLine III 250GB (SATA150).

Тестирование модулей памяти в режиме DDR2-533

Для начала приведём результаты синтетических тестов.


Как и следовало того ожидать, наивысшую производительность по данным синтетических тестов продемонстрировала память OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, обладающая самыми агрессивными таймингами.
Давайте посмотрим, насколько выбор модулей памяти может повлиять на производительность системы в целом.

Графики показывают, что различные модули памяти способны достаточно ощутимо влиять и на скорость работы и реальных приложений. Вновь OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum демонстрирует наивысшую производительность, а OCZ PC2 4300 проигрывает практически во всех тестах. Остальные же модули от PQI, GeIL и Corsair демонстрируют примерно одинаковое быстродействие, несмотря на то, что в SPD этих модулей прописаны различные тайминги.

Тестирование модулей памяти в режиме DDR2-667

Посмотрим теперь, как покажут себя модули DDR2 SDRAM при работе на частоте 667 МГц. В таком режиме смогли беспроблемно функционировать все представленные модули памяти, кроме OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum. Эта память при установке таймингов в BIOS Setup в значения по умолчанию работать не смогла. Поэтому, для тестирования этой пары модулей мы вручную устанавливали задержки в значения 5-5-5-15.
Первым делом, результаты синтетических тестов:


При тестировании в режиме разгона до 667 МГц лидирует память Corsair CM2X512-5300C4PRO, хотя при измерении пропускной памяти в SiSoft Sandra 2005 в режиме с включенной предвыборкой памяти и буферизацией лучший результат показывают модули OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum.
Теперь – результаты тестов в реальных приложениях:

В режиме разгона до 667 МГц наивысшую производительность показывают модули Corsair CM2X512-5300C4PRO. Также, неплохие результаты по сравнению с конкурирующими продуктами демонстрируют и модули памяти от GeIL и PQI.

Модули DDR2 SDRAM для энтузиастов: тестирование на разгон

Кроме тестирования производительности различных модулей памяти мы решили уделить внимание и их оверклокерским возможностям. Для этого мы решили при различных таймингах найти максимальную частоту, при которой модули DDR2 SDRAM сохраняют стабильность работы. Тестирование выполнялось в системе, основанной на материнской плате ASUS P5AD2-Е Premium, основанной на базе набора логики i925XE Express. Мы устанавливали множитель для частоты памяти в 4:3 относительно частоты FSB и увеличивали частоту FSB до тех пор, пока система не утратит стабильность.
Для этих тестовых испытаний мы использовали тестовую систему, состоящую из следующего набора комплектующих:

Процессор Intel Pentium 4 520J (LGA775, 2.8 GHz).
Материнская плата ASUS P5AD2-Е Premium (LGA775, i925XE).
Графическая карта Sapphire RADEON X800 XT (PCI-E x16).
Дисковая подсистема Maxtor MaXLine III 250GB (SATA150).

В первую очередь мы решили выяснить максимальную частоту, которую смогут покорить модули при таймингах 4-4-4-12. Напряжение питания на модулях памяти в рамках этого теста устанавливалось в 1.9В.


Как видим, при таймингах 4-4-4 практически все модули могут работать на частотах выше 667 МГц. Впрочем, не обошлось и без разочарования: модули GeIL PC2-5300 частоту 667 МГц покорить всё же не смогли. Для того чтобы эти модули заработали на штатной для них частоте, CAS Latency приходится устанавливать в 5.
Что же касается лучших результатов, то наивысшую частоту смогли покорить модули Corsair CM2X512-5300C4PRO, уже продемонстрировавшую свою высокую производительность в оверклокерских режимах, и модули OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, вовсе не рассчитанные на работу на высоких частотах. То есть, модули OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, как это не покажется удивительным, оказались весьма универсальными. Они могут работать и на высоких частотах и при низких таймингах на частоте 533 МГц.
Теперь же обратим внимание на работоспособность модулей при таймингах 3-3-3. Напряжение питания на модулях памяти в рамках этого теста устанавливалось в 1.9В.


Наибольшую частоту при агрессивных таймингах смогли покорить модули OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, что, в общем-то, неудивительно. Остальные же модули, кроме памяти от PQI, при таких установках лишь незначительно могут превысить частоту 533 МГц. Модули же PQI25400 и вовсе не смогли заработать при таймингах 3-3-3.

Выводы

Итак, DDR2 SDRAM стала быстрей. Если ранее мы говорили о том, что память этого типа из-за своей высокой латентности частенько уступает в производительности в реальных приложениях обычной DDR400 SDRAM, то теперь самое время пересмотреть эти позиции. Новые модули DDR2-533 SDRAM, имеющие сниженные до 3-3-3 тайминги, вполне успешно соперничают с самой быстрой DDR400 SDRAM. Таким образом, теперь LGA775 системы, основанные на наборах логики i925/i915 и использующие DDR2 SDRAM, теряют один из существенных недостатков: свою более низкую производительность по сравнению с платформами, в которых применяется DDR SDRAM.
Другими словами, если вы планировали осуществить переход на платформу i925/i915, то теперь самое время задуматься о нём всерьёз. Основной недостаток таких систем ликвидирован. Единственное, при выборе комплектующих для таких систем потребуется уделить особое внимание подбору модулей DDR2 SDRAM: от качества этих модулей будет зависеть та скорость, с которой будет работать платформа.
Учитывая тот факт, что развитие DDR2 SDRAM будет продолжаться как в сторону уменьшения таймингов, так и в сторону роста частоты, теперь становится очевидно, что эта технология действительно более перспективна по сравнению с привычной DDR SDRAM. Весьма вероятно что в будущем появятся и модули DDR2 памяти с более агрессивными таймингами, в результате чего производительность LGA775 платформ будет только увеличиваться.
Что же касается конкретных рекомендаций по выбору модулей памяти, то протестированные в рамках этой статьи комплекты DDR2 SDRAM от именитых производителей памяти для энтузиастов представляют собой вполне оправданный выбор. Отдельно хочется отметить модули OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum, демонстрирующие отличную скорость и оверклокерские способности. Если бы не проблемы с совместимостью, с которыми мы столкнулись во время тестирования этой памяти, то OCZ PC2 4200 Enhanced Bandwidth Platinum можно было бы признать лучшим предложением на сегодня. Также, упомянем и модули Corsair CM2X512-5300C4PRO, отличившиеся хорошими скоростными характеристиками, возможностью работать при агрессивных таймингах на частоте 533 МГц и безупречной совместимостью с различными системными платами.