Тип памяти: | DDR4 |
---|---|
Объем: | 1 модуль 64 ГБ |
Пропускная способность: | 21300 МБ/с |
Тактовая частота: | 2666 МГц |
CAS Latency (CL): | 19 |
Буферизованная (Registered): | есть |
Поддержка ECC: | есть |
Форм-фактор | LRDIMM 288-контактный |
Поддержка XMP | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
Количество чипов каждого модуля | 64, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
Количество ранков | 4 |
Ваш отзыв может быть первым. Помогите другим принять решение.