4 Гбайта DDR3-1600 в LGA775-системе: новый взгляд

Автор: Gavric
Дата: 21.01.2009
Все фото статьи
Введение

Стремительное падение цен на память, совпавшее по времени с ростом популярности операционной системы Windows Vista и выходом целого ряда требовательных к ресурсам персонального компьютера игр и приложений, привело к тому, что 4 Гбайта сегодня стало вполне оправданным объёмом оперативной памяти даже для систем среднего уровня. И большинство пользователей, не задумываясь, ставят в свои компьютеры именно такой объём памяти. Однако этого же единодушия не наблюдается, если обратить внимание на другие вопросы, касающиеся конфигурации подсистемы памяти. Например, что предпочтительнее: использование двух модулей по 2 Гбайта или четырёх — по 1 Гбайту? Какой из типов памяти, DDR2 или DDR3, следует предпочесть сегодня? Имеет ли смысл брать память, работающую на повышенных частотах?

Впрочем, ответ на первый вопрос достаточно очевиден. Явное преимущество использования пары модулей по 2 Гбайта состоит в том, что такая конфигурация оставляет свободными на плате два дополнительных слота DIMM. Это, во-первых, позволяет при необходимости дополнительно нарастить объём памяти без замены уже имеющихся модулей, а во-вторых, уменьшает электрическую нагрузку на контроллер памяти, что улучшает общую надёжность системы. Конечно, конфигурации с четырьмя модулями памяти право на жизнь имеют, и во многих случаях способы работать без каких бы то ни было нареканий, но мы рекомендуем использовать именно двухгигабайтные модули, в особенности, если планируется разгон.

Второй вопрос гораздо более интересен, несмотря на его кажущуюся простоту. Понятно, что владельцам Socket AM2+ и LGA1366 систем никакого выбора в типе используемой памяти не предоставляется, но как поступить тем, кто делает упор на чрезвычайно популярные и весьма выгодные по многим параметрам LGA775-платформы? Ведь Intel и производители материнских плат никак не ограничивают выбор типов памяти: на рынке представлены как платы, рассчитанные на DDR2, так и на DDR3 SDRAM. Тем не менее, ещё несколько месяцев назад покупка DDR3-памяти казалась неоправданным расточительством: стоимость DDR3-модулей превышала цену аналогичных по объёму модулей DDR2 в несколько раз. При этом обеспечиваемое новым типом памяти превосходство в частоте не давало адекватного преимущества в производительности, что было подтверждено тестами в LGA775-системах прошлого поколения, основанных на чипсетах Intel «третьей серии».

Сегодняшняя ситуация, на первый взгляд, отличается мало. Четырёхгигабайтные комплекты DDR3 SDRAM всё ещё в два-три раза более дороги, чем комплекты из модулей DDR2 SDRAM. Однако если взглянуть на это различие с позиции абсолютных, а не относительных величин, то получится, что в результате общего снижения цен стоимость качественных комплектов DDR2-800 и DDR2-1067 отличается от цены четырёхгигабайтных наборов DDR3-1600 модулей памяти известных производителей примерно на три тысячи рублей. А это — уже не столь существенная сумма при покупке мощного современного компьютера, если принять во внимание тот факт, что разница в цене ближайших моделей старших процессоров и видеокарт достигает порой и больших значений. Поэтому выбор DDR3-памяти может быть оправдан не только эмоционально, но и экономически, если, конечно, эта память действительно даёт что-то в плане быстродействия в современных системах.

Собственно, именно проверке на практике приведённых доводов и хочется посвятить эту статью, в которой мы исследуем производительность систем, снабжённых 4 Гбайтами DDR3-1600 SDRAM и базирующихся на самом современном наборе логики для LGA775 процессоров, Intel P45.
Описание тестовых систем

Для тестирования DDR2 и DDR3-памяти мы собрали две системы, в основе которых лежали похожие платы производства компании ASUS на базе набора логики Intel P45, фактически отличающиеся лишь поддерживаемым типом памяти: P5Q3 и P5Q Pro. В качестве центрального процессора было решено использовать старший «двухъядерник» Intel Core 2 Duo E8600, который по современным меркам вполне может быть отнесён к среднему ценовому диапазону.

Полностью тестовые системы составлялись из следующего набора комплектующих:

Процессор: Core 2 Duo E8600 (LGA775, 3,33 ГГц, 333 МГц FSB, 6 Мбайт L2, Wolfdale).
Кулер: Scythe Mugen.
Материнские платы:

ASUS P5Q Pro (LGA775, Intel P45, DDR2 SDRAM);
ASUS P5Q3 (LGA775, Intel P45, DDR3 SDRAM).


Графическая карта: ATI Radeon HD 4870 512 Мбайт.
Жёсткий диск: Western Digital WD1500AHFD.
Блок питания: SilverStone SST-ST85ZF (850 Вт).
Операционная система: Microsoft Windows Vista SP1 64-bit.

Заметим, что тестирование проводилось в 64-битной версии операционной системы Windows Vista Ultimate SP1, так как только 64-битная система имеет возможность полностью задействовать для своей работы и работы приложений все 4 Гбайта памяти.
Ставим крест на DDR3-1333? Да!

В первую очередь поясним, почему мы сразу же сосредоточились именно на DDR3-1600 памяти, в то время как более массовые модули DDR3-1333 и шире распространены на рынке, и более дёшевы. Дело в том, что использование DDR3-1333, в отличие от более высокочастотной DDR3, действительно, лишено всякого смысла, так как из-за высоких задержек эта память проигрывает и DDR2-1066, и даже DDR2-800. Собственно, в пользу этого лучше всяких слов скажут результаты реальных тестов, в которых мы сравнили производительность системы с 4 Гбайтами DDR2 памяти со скоростью аналогичной системы, снабжённой DDR3-1333 SDRAM. Для большей наглядности тесты с DDR3-1333 проводились с двумя вариантами настроек таймингов: 9-9-9-27 и 7-7-7-20. Первый вариант задержек характерен для большинства представленной на рынке общеупотребительной DDR3-1333, в то время как память с уменьшенными таймингами предлагается именитыми поставщиками и позиционируется как оверклокерская.

Испытания проходили в системе с процессором, работающим на своей штатной тактовой частоте, то есть при частоте процессорной шины 1333 МГц.

В первую очередь, мы решили обратить внимание на результаты синтетического теста Everest Ultimate 4.60, который позволяет измерить практическую пропускную способность и латентность магистрали процессор-память при чтении, записи и копировании данных.








Наибольшую зависимость от параметров подсистемы памяти демонстрируют скорость чтения из памяти и латентность. Эти же характеристики в основном и оказывают влияние на производительность систем в реальных приложениях, поэтому именно на них следует обратить внимание в первую очередь. Собственно, на соответствующих диаграммах хорошо прослеживается то отсутствие впечатляющего преимущества DDR3 памяти, о котором говорилось выше. С точки зрения реальной пропускной способности, обычная DDR3-1333 с таймингами 9-9-9-27 оказывается эквивалентна DDR2-1067 памяти, а с позиции латентности она и вовсе может соперничать лишь с DDR2-800. Несколько лучше показывает себя DDR3-1333 для энтузиастов, способная работать с CAS Latency, равной 7. Такая память слегка обгоняет все варианты DDR2 по скорости чтения, но по латентности лишь сравнивается с DDR2-1067.

Собственно, основываясь на этих цифрах, можно ожидать, что более медленный вариант DDR3-1333 вообще не сможет составить достойной конкуренции старой доброй DDR2-памяти, а быстрая DDR3-1333 позволит лишь достичь производительности, обеспечиваемой DDR2-1067. Так ли это на практике, покажут дальнейшие тесты.

Для оценки комплексного быстродействия мы воспользовались двумя тестовыми пакетами: графическим Futuremark 3DMark06 и «общим» CustomPC Benchmark. Выбор в качестве 3D-теста не самой последней версии популярного приложения компании Futuremark был обусловлен тем, что его результаты более зависимы от производительности процессора и подсистемы памяти, чем у новейшего 3DMark Vantage. CustomPC Benchmark же был выбран нами вместо традиционных PCMark Vantage и SYSmark 2007, так как при тестировании аналогичных систем, отличающихся лишь подсистемой памяти, флуктуации выдаваемых им индексов быстродействия наименее существенны, и это позволяет достичь приемлемой точности измерения при меньшем числе проходов теста.




Глупо было бы рассчитывать, что 3DMark06 покажет значительное расхождение в производительности систем, оснащённых различными типами оперативной памяти. Этот тест служит для измерения быстродействия графической подсистемы, а она, как можно убедиться, работает практически одинаково, какая бы память ни использовалась в тестовой платформе.








Зато общая производительность, измеренная при работе ресурсоёмких приложений, от памяти зависит, и порой — достаточно сильно. В использованном нами тестовом пакете исследуется скорость работы при нескольких типах нагрузки. Это: обработка фотографий, снятых цифровой камерой, в свободно распространяемом графическом редакторе GIMP; перекодирование видео из MPEG-2 формата в H.264 с использованием утилиты Handbrake; архивация и шифрование данных архиватором 7-zip; а также проигрывание видео высокого разрешения.

В общем, различие в скорости между системами с самой быстрой (в рамках исследования) и самой медленной памятью достигает почти 5 %, что заставляет задуматься о необходимости ответственного подхода при выборе оперативной памяти. Особенно сильно влияние параметров памяти на быстродействие проявляется при многозадачной нагрузке, где быстрая DDR3-1333 позволяет достичь 14-процентного преимущества над платформой с медленной DDR2-800 SDRAM. В то же время, DDR3-1333 память не даёт системам, её использующим, весомого превосходства над аналогичными платформами, использующими наиболее качественную DDR2 SDRAM. Фактически, реальные тесты повторяют результаты синтетических. С точки зрения производительности DDR3-1333 с таймингами 9-9-9-27 может выступать альтернативой лишь для DDR2-800 с задержками 4-4-4-12, а DDR3-1333 с более агрессивными таймингами 7-7-7-20 обеспечивает такой же уровень быстродействия, как и DDR2-1067.

Отдельного внимания заслуживает рассмотрение скорости в современных игровых приложениях. Ведь, как известно, игры крайне чувствительны к характеристикам подсистемы памяти. Для того, чтобы этот эффект был особенно заметен, мы провели тесты в низких разрешениях, где влияние на количество кадров в секунду возможностей графической подсистемы минимально.






И действительно, игры оказываются именно тем типом задач, где высокая пропускная способность, обеспечиваемая DDR3 SDRAM, отражается на показателях производительности. Впрочем, о каком-то впечатляющем преимуществе DDR3-1333 речь не идёт, но оно, в отличие от предыдущих случаев, может быть замечено «невооружённым глазом». Тем не менее, DDR3-1333 с CAS Latency 9 так и не обгоняет DDR2-1067, а преимущество DDR3-1333 с таймингами 7-7-7-20 над быстрой DDR2-1067 не превышает и половины процента.

В дополнение к приведённым результатам, мы измерили скорость тестовых систем при работе ряда других приложений, нагружающих систему.










Собственно, никаких откровений на графиках не видно. Все сделанные ранее выводы оказываются верны и при кодировании видео, рендеринге, архивации и решении шахматных задач. Наибольшую зависимость от скорости работы подсистемы памяти демонстрирует архиватор, однако даже в нём система с быстрой DDR3-1333 SDRAM обгоняет аналогичную платформу с быстрой DDR2-1067 не более чем на 3 %.

Вывод очевиден: использование DDR3-1333 SDRAM в современных LGA775 системах, учитывая её высокую стоимость, смысла не имеет. Именно поэтому в этой статье мы и не уделяем внимания 4-гигабайтным комплектам DDR3-1333 памяти, сразу переходя к рассмотрению более скоростной DDR3-1600 SDRAM.
DDR3-1600 против DDR2-1067 и DDR2-800

Однако на пути использования DDR3-1600 SDRAM стоит серьёзная проблема. Актуальные LGA775 системы, даже те, которые основаны на самом современном наборе логики Intel P45, официально не поддерживают DDR3-1600 SDRAM. И дело тут не в простом формальном отсутствии соответствующих фраз в спецификациях набора логики и материнских плат, на нём основанных. Всё гораздо хуже: контроллер памяти, имеющийся в чипсетах Intel для LGA775 процессоров, поддерживающих DDR3, не может тактовать память на частоте, превышающей FSB более чем в 4 раза. А это значит, что даже для процессоров с 1333-мегагерцовой Quad Pumped Bus множество совместимых типов памяти ограничивается сверху DDR3-1333 SDRAM, которая, как мы убедились, не даёт существенного преимущества в быстродействии.

Выход из этой ситуации достаточно очевиден: работа памяти на частоте 1600 МГц становится возможна при установке частоты FSB на значение 400 МГц. К сожалению, на сегодняшний день существует лишь один-единственный процессор, использующий такую частоту FSB. Это — малоинтересный для большинства пользователей Core 2 Extreme QX9770, стоимость которого выходит за все разумные рамки. Именно поэтому практически единственным доступным подходом для использования DDR3-1600 остаётся разгон.

Конечно, необходимость увеличения частоты FSB выше номинальных значений несколько ограничивает применимость DDR3-1600 SDRAM. Но не на столько, чтобы сделать эту память неинтересной для рассмотрения, тем более, что повышение частоты FSB до величины 400 МГц в современных системах обычно не вызывает никаких проблем. Поскольку такая частота является номинальной хотя бы для одного реально существующего в природе LGA775-процессора, чипсеты и материнские платы в таких условиях должны работать нормально. Что же касается процессоров, то для моделей с 1333-мегагерцовой Quad Pumped Bus приращение FSB с 333 до 400 МГц означает лишь 20-процентное увеличение тактовой частоты, с которым они легко справляются. В большинстве случаев при таком разгоне стабильная работа современных экземпляров, выпущенных по 45-нм технологическому процессу, не требует даже корректировки напряжений питания или какого-то специального подхода к охлаждению процессора.

В качестве иллюстрации к сказанному следует сказать, что использованный нами в настоящем тестировании процессор Core 2 Duo E8600 легко заработал на частоте 4,0 ГГц при простом переводе FSB в значение 400 МГц. И такой разгон действительно не потребовал увеличения напряжения питания.


Впрочем, если вы являетесь принципиальным противником разгона, то повышение частоты FSB всегда можно сопроводить снижением множителя процессора, чтобы его итоговая тактовая частота не превысила номинального значения.

Заметим, что применение частоты FSB 400 МГц приводит к росту пропускной способности процессорной шины до 12,8 Гбайт/с. Такую пропускную способность двухканальная подсистема памяти, использующая DDR2-667 или более медленные модули, обеспечить не может, а DDR2-800 SDRAM гарантирует лишь равенство между пропускными способностями процессорной шины и шины памяти. Именно поэтому LGA775-чипсеты не позволяют использовать более медленную, нежели DDR2-800 SDRAM, память при выборе частоты FSB 400 МГц. А это в свою очередь означает, что дальнейшее увеличение частоты FSB при использовании такой памяти невозможно. Именно здесь и кроется один из основных минусов DDR2-800 SDRAM: эта память не только может ограничивать быстродействие уже при частоте FSB 400 МГц, но и способна просто стать препятствием в процессе более серьёзного разгона.

Кроме того, применение медленной памяти в системах с частотой FSB 400 МГц (и выше) влечёт за собой и ещё одну проблему. Низкая частота работы подсистемы памяти приводит к необходимости увеличения параметра Performance Level — задержки, используемой набором логики для синхронизации процессорной шины и шины памяти. А этот фактор также не лучшим образом сказывается на производительности. Так, быстрая DDR3-1600 SDRAM позволяет использование задержки Performance Level, равной 6 или 7, в то время как DDR2-800 SDRAM потребует установки этого параметра на 8 или 9. Более быстрая DDR2-1067 SDRAM выгоднее в этом плане: она даёт возможность уменьшать задержку Performance Level до 7. BIOS современных материнских плат хорошо знакомы с такой особенностью поведения чипсета и соответствующим образом оптимизированы. В результате данный фактор становится ещё одной причиной отличия в производительности систем с разными типами памяти.

Таким образом, кажется, что в системах с частотой FSB, установленной равной 400 МГц, применение быстрой DDR3-памяти действительно может принести реальные дивиденды. Обратимся к результатам проверки, которую мы выполнили в системе с тем же тестовым процессором Core 2 Duo E8600, разогнанным до 4,0 ГГц повышением частоты FSB до 400 МГц. Двухканальные четырёхгигабайтные комплекты памяти, сравниваемые в этом случае, работали в следующих режимах:

DDR2-800, тайминги 5-5-5-15, Performance Level 9;
DDR2-800, тайминги 4-4-4-12, Performance Level 8;
DDR2-1067, тайминги 5-5-5-15, Performance Level 7;
DDR3-1600, тайминги 9-9-9-27, Performance Level 7;
DDR3-1600, тайминги 8-8-8-24, Performance Level 7;
DDR3-1600, тайминги 7-7-7-20, Performance Level 6;
DDR3-1600, тайминги 7-6-6-18, Performance Level 6.

Перечисленные наборы задержек DDR3-1600 памяти были выбраны исходя из параметров имеющихся на рынке предложений. При этом необходимо иметь в виду, что наиболее разумным вариантом является DDR3-1600 память с CAS Latency, равной 7. Именно на такую SDRAM мы и будем делать основной упор, анализируя преимущества быстрой подсистемы памяти.








Латентность подсистемы памяти, построенной с использованием DDR3-1600, близка к латентности DDR2-1067. Однако тесты пропускной способности выявляют ощутимое превосходство DDR3-памяти. Эта картина типична и удивления не вызывает. На что же действительно стоит обратить внимание, так это на то, что переход от DDR2-800 к DDR2-1067 обеспечивает гораздо более значительный прирост показателей, нежели смена DDR2-1067 на DDR3-1600. Этот факт может рассматриваться как иллюстрация недостаточности пропускной способности двухканальной DDR2-800 в системе, использующей 1600-мегагерцовую Quad Pumped Bus. Впрочем, не стоит полагаться в выводах на синтетические тесты, давайте посмотрим на картину в реальных приложениях.












К сожалению, также как и при тестировании DDR3-1333 SDRAM, мы вынуждены констатировать, что быстрая память достаточно часто не может обеспечить более высокое быстродействие системы в целом. Тем не менее, существуют и обратные примеры, например многопоточная нагрузка, создаваемая в CustomPC Benchmark. Здесь разница в результатах медленной DDR2-800 и быстрой DDR3-1600 достигает внушительных 22 %. Впрочем, при этом DDR2-1067 SDRAM отстаёт от DDR3-1600 совсем незначительно, самая быстрая память стандарта DDR3 в лучшем случае способна обеспечить лишь 5-процентное преимущество.






Аналогичная картина наблюдается и в играх. Показатели DDR3-1600 выглядят впечатляюще только в том случае, если их сопоставлять с результатами, показанными системой с DDR2-800 SDRAM — выигрыш в производительности лежит в пределах 5—10 %. Если же объектом рассмотрения принять различие в быстродействии систем с DDR2-1067 и DDR3-1600, то преимущество более скоростной памяти оказывается далеко не столь очевидно.










Такие же выводы можно сделать и основываясь на данных, полученных нами при измерении производительности в приложениях. Говорить можно лишь о том, что DDR2-800 SDRAM — отнюдь не лучший выбор для LGA775-системы, использующей частоту FSB, равную 400 МГц. Вполне же адекватным является использование в этом случае DDR2-1067 памяти, по сравнению с которой DDR3-1600 может стать причиной лишь едва заметного прироста в производительности.

Получается, что даже в тех системах, в которых установлена частота FSB 400 МГц, DDR3-1600 SDRAM не выглядит особенно оправданным выбором. Обеспечиваемые ей преимущества по сравнению с быстрой DDR2-1067 памятью весьма незначительны, а различия в цене более чем ощутимы. Тем не менее, мы не оставляем надежду выявить подходящие применения для DDR3-1600 SDRAM, а потому давайте посмотрим, что происходит при более сильном разгоне платформы.
DDR3-1600 в оверклокерских системах

В следующей серии экспериментов мы решили посмотреть, как покажет себя наша тестовая система, оснащённая DDR3-1600 памятью, при увеличении частоты FSB до 500 МГц. Оверклокерские платформы нередко работают с использованием такой или даже более высокой частоты шины, вполне возможно, что именно в этом варианте память с высокой пропускной способностью окажется как нельзя более кстати. Ведь такой разгон приводит к увеличению пиковой пропускной способности процессорной шины до 16 Гбайт/с, и это, соответственно, повышает шансы на использование потенциала, предоставляемого двухканальной DDR3-1600 памятью.

Для целей тестирования мы воспользовались тем же самым процессором Core 2 Duo E8600, разогнанным до частоты 4,0 ГГц. Однако в данном случае его множитель понижался, и итоговая частота задавалась как 8 x 500 МГц.


Следует заметить, что такое повышение частоты FSB требует более серьёзного подхода, чем в случае с её увеличением до 400 МГц. Так, для достижения стабильности в подобном режиме понадобится как минимум качественная материнская плата, оснащённая продвинутой системой охлаждения северного моста. Кроме того, работа системы в таком состоянии потребует, скорее всего, повышения напряжения на северном мосту чипсета и напряжения CPU VTT. Тем не менее, разгоняют свои компьютеры с использование частоты FSB 500 МГц или даже более высокой многие энтузиасты, ведь значительная часть LGA775-процессоров среднего ценового диапазона обладает сравнительно низкими множителями, не дающими достичь высоких тактовых частот при разгоне другими способами. Поэтому, 500-мегагерцовая FSB — это не экзотика экстремального разгона, а распространённый случай, вполне заслуживающий отдельного рассмотрения.

Память, исследование которой проводилось в рамках этого теста, была сконфигурирована как:

DDR2-1000, тайминги 5-5-5-15, Performance Level 10;
DDR3-1600, тайминги 9-9-9-27, Performance Level 10;
DDR3-1600, тайминги 8-8-8-24, Performance Level 10;
DDR3-1600, тайминги 7-7-7-20, Performance Level 9;
DDR3-1600, тайминги 7-6-6-18, Performance Level 9.

Здесь необходимо сделать два замечания. Во-первых, разгон, предполагающий столь агрессивное увеличение частоты FSB, требует значительного ослабления таймингов северного моста с помощью параметра Performance Level, который для обеспечения стабильного функционирования системы нам пришлось увеличивать до уровня 9—10. Во-вторых, тестовую DDR2-1067 SDRAM нам пришлось использовать в слегка более медленном режиме DDR2-1000. Вызвано это тем, что существующие наборы логики Intel не имеют делителей для формирования частоты памяти, которые бы позволили выставить её на другие, более близкие к 1067 МГц, значения. Кстати, именно поэтому же при разгоне, сопровождающемся повышением частоты FSB до значений порядка 450 МГц и выше, для подавляющего большинства типов DDR2-памяти приходится использовать «синхронный» режим, в котором частота DDR2 SDRAM равна удвоенной частоте FSB.

Тем не менее, несмотря на сделанные «послабления», мы всё-таки надеемся, что дополнительный разгон FSB положительно отразится на уровне быстродействия.








Измерения, сделанные при помощи синтетического теста Everest Ultimate 4.60, позволяют увидеть достаточно любопытные закономерности. Впервые любая DDR3-1600 память оказывается быстрее, чем DDR2, с точки зрения как пропускной способности, так и латентности. А это значит, что сделанные нами предположения были верны, и при существенном увеличении частоты процессорной шины скорость работы памяти приобретает всё большее значение. Таким образом, сомнений в полезности DDR3-1600 в оверклокерских системах не остаётся, нужно только оценить, насколько существенен выигрыш, предоставляемый более дорогой памятью. Воспользуемся для этого тестами, оценивающими «реальную» производительность.












Результаты в 3DMark06 не впечатляют, этот тест, как мы уже убедились, практически не реагирует на параметры подсистемы памяти. Зато CustomPC Benchmark показывает, что в реальных, главным образом мультизадачных, применениях быстрая DDR3-1600 с задержками 7-7-7-20 может стать причиной ощутимого прироста скорости. Величина этого прироста доходит до 10 %, а показатель общей производительности, выдаваемый тестом, демонстрирует 3-процентное превосходство системы, оснащённой DDR3-1600 SDRAM.






Для современных игр скоростная память также оказывается небесполезной. Даже DDR3-1600 со «слабыми» задержками 9-9-9-27 работает слегка быстрее, чем DDR2 SDRAM. Более же распространённая и скоростная DDR3-1600, обладающая таймингами 7-7-7-20, позволяет добиться вполне осязаемого превосходства в числе кадров в секунду. Совершенно очевидно, что повышение частоты процессорной шины пропорционально повышает и ценность быстрой памяти. И если при испытаниях при частоте FSB 400 МГц прирост был скорее символическим, то при использовании 500-мегагерцовой FSB он уже достигает приличного 5-процентного уровня.










Примерно то же самое можно сказать и о результатах, полученных нами в приложениях. В разных задачах DDR3-память обеспечивает разный прирост, определяемый характером нагрузки, но во всех случаях она проявляет себя лучше, чем память более старого стандарта.

Таким образом, реальный эффект от использования DDR3-1600 почувствуют на себе в первую очередь те оверклокеры, которые используют в своих системах сравнительно высокие значения частоты шины. Как показывают тесты, видимая выгода, вносимая высокоскоростной памятью, начинает проявляться при достижении частотой FSB рубежей, значительно превосходящих штатные значения. Кроме того, DDR3 SDRAM предоставляет и широкий простор при выборе различных делителей, задающих соотношение частот FSB и памяти. А это не только означает большую свободу действий при разгоне, но и порой может оказаться решающим фактором при покорении очередных оверклокерских вершин.

Анализ полученных результатов тестов позволяет сделать и ещё один интересный вывод — о целесообразности использования высокой частоты шины для увеличения производительности в LGA775-платформах. Для этого мы просто сопоставим результаты тестов, сделанных при работе процессора на частоте 4,0 ГГц в режимах 10 x 400 МГц и 8 x 500 МГц. Так, в случае использования в системе DDR2-1067 памяти с задержками 5-5-5-15 картина получается совершенно неожиданная.


Хотя на первый взгляд это кажется нелогичным, но 500-мегагерцовая FSB сама по себе в системе с DDR2-памятью вообще не даёт никакого преимущества. Более того, в подавляющем большинстве случаев быстрая шина производительность даже снижает! Объясняется этот эффект достаточно просто. Во-первых, увеличение частоты процессорной шины приводит к росту внутренних задержек северного моста набора логики (Performance Level), что не компенсируется увеличением скорости работы подсистемы памяти. Во-вторых, при тестировании системы с частотой FSB 500 МГц нам пришлось несколько понизить частоту памяти, в результате чего она работала в режиме DDR2-1000. Важно, что такое ухудшение рабочих параметров памяти и чипсета сделано нами вовсе не из стремления подпортить результаты DDR2 при разгоне. Это — единственно возможный в данным случае вариант, поскольку LGA775 наборы логики компании Intel предлагают крайне ограниченное множество делителей, формирующих частоту памяти, из которого для DDR2-памяти при сильном повышении частоты FSB удаётся задействовать лишь младший, «синхронный».

Совершенно иная картина наблюдается, если сопоставить данные, полученные при использовании в системе DDR3-1600 памяти.


В данном случае результаты всех тестов указывают на рост производительности, обуславливаемый увеличением пропускной способности процессорной шины. Впрочем, речь в данном случае идёт лишь о весьма условном выигрыше: его величина в среднем не превосходит и одного процента. Неизбежное увеличение Performance Level при разгоне FSB отрицательно сказывается и при установке в систему DDR3-1600 SDRAM.

Таким образом, полученные результаты явно говорят о том, что разгон шины FSB практически не имеет самостоятельного значения. Выставлять высокие частоты фронтальной шины имеет смысл либо ради достижения высокой тактовой частоты процессором, либо ради разгона памяти. В случае же, когда одна и та же частота процессора и памяти может быть получена и увеличением частоты FSB, и повышением множителя, целенаправленно акцентироваться на росте частоты шины особого смысла не имеет. Однако если разгон всё-таки сопровождается установкой частот FSB порядка 400—500 МГц или даже выше, то следует понимать, что в данном случае DDR2-память «затормаживает» систему и полностью раскрыть её потенциал позволит только более скоростная DDR3.

Проведённое исследование позволяет сделать и важный вывод о том, что DDR3-1600 всё же может быть востребована. Но реальный положительный эффект от её частоты можно получить лишь в случае использования высоких частот FSB, порядка 500 МГц или выше. В таких режимах она действительно способна обеспечить лучший уровень быстродействия, нежели память предыдущего поколения. Именно поэтому такая память может быть интересна только оверклокерам, для которых DDR3 полезна ещё и тем, что она даёт возможность использовать более широкий набор делителей, задающих частоту памяти, что открывает более разнообразные возможности по оптимизации производительности системы.

Если, дочитав до этого места, вы ещё не утратили интерес к DDR3-1600 SDRAM, далее мы предлагаем вашему вниманию обзор имеющихся на рынке 4-гигабайтных комплектов, выпускаемых ведущими производителями памяти для энтузиастов.
Протестированные комплекты DDR3-1600 SDRAM


Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G

Модули памяти, продаваемые под торговой маркой Aeneon, производятся компанией Qimonda. Для тех, кто «знает толк в памяти» это может быть отличной рекомендацией, ведь компания Qimonda относится к числу ведущих производителей чипов DRAM. Соответственно, для своих фирменных модулей памяти, нацеленных на энтузиастов, Qimonda отбирает лучшие микросхемы собственного производства, что и обуславливает исключительность характеристик продуктов серии Aeneon XTUNE.


Расположив участников сегодняшнего обзора по алфавиту, мы невольно были вынуждены поместить описание модулей Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G в самое начало перечисления. И это, к сожалению, не даёт возможности оценить всю уникальность данного продукта, заметную лишь при сопоставлении характеристик с конкурентами. А ведь это — единственные модули DDR3-1600 памяти, рассчитанные на работу при напряжении 1,5 В, которое является номинальным для DDR3. Иными словами, в то время как большинство производителей памяти для оверклокеров прибегают к увеличению напряжения питания для улучшения разгонного потенциала чипов, Qimonda предлагает абсолютно «честный» подход: память Aeneon XTUNE работает при частоте 1600 МГц на определённом спецификациями JEDEC напряжении питания.

Впрочем, функционирование модулей Aeneon XTUNE на высокой частоте при низком напряжении не должно вводить в заблуждение. Свойства использованных в её основе чипов таковы, что рост напряжения питания не повышает её разгонный потенциал. Поэтому не стоит рассчитывать на то, что при установке высоких напряжений эта память сможет покорить запредельные высоты: максимум разгона, который нам удалось достичь, экспериментируя с различными задержками и напряжениями, оказался даже ниже, чем у DDR3 памяти, рассчитанной на питание 1,8—1,9 В.

Комплект Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G поставляется в стандартной прозрачной пластиковой упаковке, модули также не особо выделяются своим видом. Единственная их внешняя особенность — печатная плата синего цвета. Используемые же для отвода тепла от чипов радиаторы представляют собой штампованные алюминиевые пластины чёрного цвета с нанесёнными на них логотипами Aeneon и XTUNE.


Определённые производителем характеристики комплекта Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G выглядят следующим образом:

2 модуля DDR3 SDRAM ёмкостью по 2 Гбайта каждый;
Частота: 1600 МГц;
CAS Latency — 9, полная схема таймингов: 9-9-9-28;
Напряжение: 1,5 В.

Отметим, что на самих модулях производитель из приведённого списка указывает лишь частоту и ключевую задержку CL.

Следует заметить, что по сравнению с предложениями других производителей, модули Aeneon XTUNE обладают и сравнительно высокими задержками, что, очевидно, обусловлено низким напряжением питания. Именно поэтому Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G следует отнести к числу экзотических продуктов, интересных лишь в определённых случаях. Например, когда материнская плата не имеет средств для повышения напряжения питания на слотах DIMM, либо когда отсутствие заметного нагрева модулей и их низкое энергопотребление имеют очень большое значение. К счастью, Qimonda не намерена наживаться на любителях экзотики, и рассматриваемый комплект памяти стоит в магазинах даже немного дешевле, чем «обычная» DDR3-1600 SDRAM.

SPD модулей запрограммирован небрежно, под частоты DDR3-1333, DDR3-1500 и DDR3-1667. Номинальный же режим содержится лишь в профиле XMP, но почему-то с завышенным напряжением.


Поэтому пользователю, выбравшему комплект модулей Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G, придётся корректировать в BIOS Setup параметры подсистемы памяти вручную.

Corsair TW3X4G1600C9DHXNV

Компания Corsair вряд ли нуждается в дополнительном представлении, это, вне всяких сомнений, один из самых известных поставщиков оверклокерской памяти. Обычно память этого производителя отличается отменными характеристиками, однако для нашего теста компания прислала модули Corsair TW3X4G1600C9DHXNV, уступающие по характеристикам многим конкурирующим продуктам. В защиту Corsair TW3X4G1600C9DHXNV можно было бы сказать, что этот комплект памяти специально ориентирован для работы в системах, основанных на наборе логики NVIDIA nForce 790i Ultra SLI, однако на самом деле он полностью аналогичен модулям TW3X4G1600C9DHX, не имеющим никаких специальных оптимизаций.


Основной особенностью памяти Corsair, вне всяких сомнений, являются фирменные алюминиевые радиаторы DHX, имеющие два преимущества перед обычными системами охлаждения. Так, благодаря своей гребнеобразной форме, они обладают большей площадью поверхности и, очевидно, эффективнее рассевают тепло. Помимо этого, радиаторы включают и специальные дополнительные пластины, охлаждающие печатную плату, а не микросхемы памяти. Однако у специфичных радиаторов есть и отрицательная сторона. Их высота превышает стандартные размеры, из-за чего модули памяти Corsair могут не поместиться в некоторые платформы с массивными процессорными кулерами и с близким расположением слотов DIMM к процессорному разъёму.


К сожалению, использование хитроумной системы охлаждения сказывается на цене, но не на характеристиках. Стоимость памяти Corsair TW3X4G1600C9DHXNV выше, чем у конкурирующих продуктов, а вот спецификации при этом смотрятся весьма скромно:

2 модуля DDR3 SDRAM ёмкостью по 2 Гбайта каждый;
Частота: 1600 МГц;
CAS Latency — 9, полная схема таймингов: 9-9-9-24;
Напряжение: 1,8 В.

Как видим, используя напряжение питания 1,8 В, компании Corsair удалось добиться лишь таких же характеристик, как у модулей Aeneon XTUNE, работающих при значительно более низком напряжении. И в оправдание памяти Corsair TW3X4G1600C9DHXNV можно сказать лишь то, что при реальных испытаниях она проявила себя всё же не так плохо: на частоте 1600 МГц мы смогли добиться от этих модулей стабильной работы при CAS Latency, равной 7.

Инженеры компании Corsair всегда очень ответственно подходят к программированию SPD, что обуславливает беспроблемную совместимость с широким спектром различных материнских плат. Так произошло и на этот раз, SPD рассматриваемых модулей содержал большое разнообразие различных режимов. Однако, учитывая ориентированность TW3X4G1600C9DHXNV на использование в системах с платами на чипсетах NVIDIA, поддержки XMP у них не нашлось.


Вместо этого модули предлагают профили EPP 2.0, бесполезные для подавляющего большинства пользователей. В итоге, правильное конфигурирование Corsair TW3X4G1600C9DHXNV потребует ручного изменения параметров BIOS Setup.

Mushkin 996601 4GB XP3-12800

Mushkin относится к числу старейших производителей высококачественной памяти, компания работает с 1994 года. За это время она заслужила очень хорошую репутацию, которая подтверждается и нашими, в том числе, тестами. На этот раз нам был предложен к рассмотрению комплект из 2-гигабайтных модулей с артикулом 996601, который можно отнести к числу быстрейших на рынке вариантов DDR3-1600.


Тем не менее, своим внешним видом модули Mushkin 996601 не поражают. Они поставляются во вполне ординарной пластиковой упаковке, а сами планки закрыты простейшими штампованными алюминиевыми теплораспределителями, окрашенными в чёрный цвет. Выделяет их, пожалуй, только логотип производителя и немного необычная форма.


Гораздо более пристального внимания заслуживают характеристики, отличающиеся агрессивными, даже для DDR3-1600 SDRAM, таймингами:

2 модуля DDR3 SDRAM ёмкостью по 2 Гбайта каждый;
Частота: 1600 МГц;
CAS Latency — 7, полная схема таймингов: 7-7-6-18;
Напряжение: 1,85—1,9 В.

При этом, как можно заметить, рассматриваемые модули требуют использования и более высокого, чем типичные 1,8 В, напряжения питания. Тем не менее, в наших практических испытаниях модули Mushkin 996601 4GB XP3-12800 смогли работать при штатных параметрах и при напряжении 1,8 В, что, возможно, указывает на простое желание производителя подстраховаться.

Приятно, что хорошие характеристики памяти Mushkin 996601 не повлияли на её цену. Эта память стоит ощутимо дешевле, чем предложения «корифеев» OCZ и Corsair, не проигрывая им в реальных тестах.

Что касается заполнения SPD, то и тут память Mushkin не уступает лучшим предложениям конкурентов.


Необходимые для совместимости наборы параметров имеются в полном объёме, а в профиле XMP записан набор параметров для использования этого комплекта в DDR3-1600 режиме.

OCZ DDR3 PC3-12800 Platinum Enhanced Bandwidth Edition

Продукция компании OCZ очень популярна у оверклокеров. И тому есть вполне обоснованные причины: зачастую модули этой фирмы предлагают лучшие эксплуатационные параметры, чем изделия других производителей.


Присланный нам на тест 4-гигабайтный комплект DDR3-1600 SDRAM стал полноправным продолжателем описанной традиции. Его принадлежность к серии Enhanced Bandwidth Edition как раз и означает исключительность таймингов. Модули OCZ обошли по своим параметрам даже комплект производства Mushkin: их штатные задержки описываются схемой 7-6-6-18. Впрочем, особые характеристики OCZ DDR3 PC3-12800 Platinum EB стали причиной и их повышенной стоимости: этот комплект будет подороже других подобных предложений. Тем не менее, лидером по дороговизне данная память не является, она уступает в этом отношении совсем уж нескромно оценённым комплектам Corsair.

Компания OCZ использовала для рассматриваемой нами памяти радиаторы необычной сетчатой конструкции, выполненные из меди. Согласно мнению инженеров OCZ такая форма обеспечивает лучшую конвекцию воздуха и, как следствие, более эффективное охлаждение. Проверить это достаточно трудно, но о чём можно говорить наверняка, так это о броском внешнем виде рассматриваемых модулей, необычные радиаторы которых отполированы до зеркального блеска.


Номинальные характеристики OCZ DDR3 PC3-12800 Platinum EB, также как и сами модули, выглядят просто отлично:

2 модуля DDR3 SDRAM ёмкостью по 2 Гбайта каждый;
Частота: 1600 МГц;
CAS Latency — 7, полная схема таймингов: 7-6-6-18;
Напряжение: 1,9 В.

Также как и в случае с памятью Mushkin, придание комплекту более низких, чем у конкурентов, таймингов потребовало повышения напряжения питания до 1,9 В. Но это вряд ли расстроит настоящих энтузиастов, тем более, что OCZ отдельно оговаривает возможность безопасной эксплуатации комплекта OCZ DDR3 PC3-12800 Platinum EB и при более высоком напряжении питания, достигающем 1,95 В.

К сожалению, рассматриваемые модули поставляются на рынок с недоработанным SPD, которые не содержит профилей XMP, ставших негласным стандартом для оверклокерской DDR3 SDRAM. Зато в наличии имеется несколько вариантов конфигураций, рассчитанных на достижение максимальной совместимости.


Но для эксплуатации в штатном режиме, при частоте 1600 МГц, пользователю потребуется устанавливать параметры памяти в BIOS Setup вручную.

К сказанному об OCZ DDR3 PC3-12800 Platinum EB остаётся только добавить, что лучшие характеристики «на бумаге» далеко не всегда означают лучшие результаты на практике. И эти модули в некоторых тестах уступили предложениям других компаний. Однако будет несправедливым не отметить тот факт, что всё-таки память компании OCZ среди всех протестированных DDR3-1600 комплектов модулей по 2 Гбайта показала лучшие результаты в разгоне по частоте.

Patriot PVS34G1600LLK

Компания PDP Systems, владеющая торговой маркой Patriot, обычно борется за рыночную популярность и признание среди энтузиастов, придавая своим продуктам выгодное сочетание характеристик и цены. Присланный нам на тесты комплект PVS34G1600LLK оказался хорошей иллюстрацией этой стратегии.


Однако в первую очередь полученный нами комплект памяти Patriot будут завоёвывать сердца потребителей своим необычным обрамлением. В отличие от всех конкурирующих предложений, он поставляются в красочной картонной коробке, а модули, заключённые в прозрачные блистерные упаковки, находятся внутри.

Сами модули тоже не так просты: своими гребнеобразными радиаторами они сильно смахивают на память, предлагаемую компанией Corsair. Но не нужно обвинять Patriot в плагиате: радиаторы памяти этого производителя имеют совершенно другую конструкцию. Хотя они и отличаются похожей формой, на модулях Patriot установлено по два, а не по четыре теплорассеивателя. К тому же, радиаторы Patriot сделаны из алюминия не целиком: их поверхность, соприкасающаяся с микросхемами, покрыта слоем меди — по утверждению производителя, это обеспечивает лучшее распределение тепла по радиатору, однако из-за очень маленькой толщины медного слоя мы склонны в этом усомниться. Наконец, высота модулей DIMM в сборе у Patriot ниже, чем у Corsair, а потому они, скорее всего, без особых проблем встанут в любой системе.


Характеристики модулей Patriot PVS34G1600LLK нельзя назвать выдающимися, они, скорее, средние:

2 модуля DDR3 SDRAM ёмкостью по 2 Гбайта каждый;
Частота: 1600 МГц;
CAS Latency — 7, полная схема таймингов: 7-7-7-18;
Напряжение: 1,9 В.

Используя увеличенное до достаточно высоких 1,9 В напряжение разработчики гарантируют работоспособность памяти при наборе задержек 7-7-7-18, но не более того. О возможности снижения таймингов RAS# to CAS# и RAS# Precharge ниже 7 циклов речь не идёт: именно поэтому модули Patriot и продаются по сравнительно привлекательной цене.

И хотя в практических тестах нам удалось добиться стабильной работы комплекта Patriot PVS34G1600LLK на частоте 1600 МГц при таймингах 7-6-6-18, по своим максимальным частотам он не смог посоревноваться с более дорогими модулями DDR3-1600 SDRAM, предлагаемыми OCZ или Mushkin.

Параметры, занесённые в SPD рассматриваемых модулей инженерами PDP Systems, могут служить прекрасным примером для подражания.


Тут присутствует два стандартных набора параметров, гарантирующих совместимость Patriot PVS34G1600LLK с широким диапазоном материнских плат, и профиль XMP, в котором запомнены тайминги для режима DDR3-1600.

Wintec 3AXH1600C9-4096K

Продукция компании Wintec Industies известна конечным пользователям не столь широко. Однако этот производитель — далеко не новичок на рынке памяти, просто ранее Wintec акцентировалась на OEM-поставках. Но в последнее время производитель решил уделить внимание и розничным продажам, в результате чего возникло семейство продуктов AMPX, в которое входят модули Wintec 3AXH1600C9-4096K, принимающие участие в настоящем тестировании. Так что бояться продуктов с маркой Wintec явно не следует, это — проверенный производитель памяти. К тому же, напротив, не столь широкая известность Wintec Industies даёт возможность конечным покупателям получить при покупке небольшой финансовый выигрыш, поскольку модули AMPX стоят в среднем дешевле аналогичных модулей более известных компаний.


Никакими внешними признаками память Wintec 3AXH1600C9-4096K интереса не вызывает. Это — типичные модули памяти, закрытые стандартными штампованными радиаторами чёрного цвета, поставляющиеся в совершенно обычной упаковке. Даже выпуклый логотип AMPX на радиаторе на поверку оказывается ничем иным, как наклеенным сверху раскрашенным кусочком пластика.


Первое впечатление о модулях не могут улучшить и их официальные характеристики, которые выглядят откровенно слабее, чем у конкурентов:

2 модуля DDR3 SDRAM ёмкостью по 2 Гбайта каждый;
Частота: 1600 МГц;
CAS Latency — 9, полная схема таймингов неизвестна;
Напряжение: 1,8 В.

Более того, на официальном сайте Wintec Industies невозможно даже найти полный набор характеристик этой памяти.

Однако то, что мы увидели в SPD, заставило нас испытать настоящий шок! Строка Part Number выдала в модулях памяти малоизвестной компании именитый продукт — DDR3-1600 серии Titanium Edition, предлагаемый компанией OCZ. Думается, это должно заставить отбросить все сомнения относительно качества продукции Wintec даже законченных скептиков: эти же модули под своей торговой маркой, продаёт, оказывается, компания OCZ. Более того, конкретно эти модули, если они продаются под маркой OCZ, имеют гораздо лучшие паспортные характеристики: в частности, CAS Latency, равную 7. В варианте же спецификаций Wintec CAS Latency установлена равной 9, что однозначно указывает на возможность сильного разгона.


Полный набор параметров, встроенных в SPD комплекта памяти Wintec 3AXH1600C9-4096K, также явно указывает на их гораздо более высокие, чем обещает производитель, возможности. Так, содержащиеся профили XMP предлагают использование этой памяти при наборах задержек 8-8-8-28 и 7-6-6-28, при которых, что характерно, память оказывается работоспособна и на практике. Иными словами, рассмотренные модули представляют собой отличный способ сэкономить для тех, кому важны реальные возможности, а не громкость имени производителя. Фактически, компания Wintec предлагает дёшево купить топовую память OCZ с немного другими радиаторами.
Результаты тестов разгона модулей памяти

Чтобы сделать окончательные выводы о присланных нам 4-гигабайтных (2 x 2 Гбайт) двухканальных комплектах памяти, мы протестировали их на практике с целью выявления максимальной стабильной частоты и лучших задержек. Для этого мы воспользовались прекрасно зарекомендовавшим себя тестом Memtest86+ 2.11, направленным на проверку правильности функционирования подсистемы памяти под высокой нагрузкой.

В первую очередь мы решили выявить наиболее агрессивные наборы таймингов, при которых память способна работать в режиме DDR3-1600. Для тестов было использовано максимальное безопасное напряжение 1,9 В для всех пар модулей, кроме Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G, которые показали наилучший результат при напряжении 1,6 В.


Как продемонстрировала практическая проверка, не работоспособна на частоте 1600 МГц с CAS Latency 7 лишь одна память — Aeneon XTUNE AXH860UD20-16H-K-4G. Однако простить ей это несложно, если принять во внимание феноменально низкое для оверклокерской памяти напряжение питания. Что же касается остальных участников тестов, то наилучшее сочетание задержек продемонстрировали комплекты Mushkin 996601 4GB XP3-12800 и, как это ни удивительно, Wintec 3AXH1600C9-4096K. Им проиграла даже пара модулей компании OCZ, имеющих лучшие «официальные» характеристики.

Давайте теперь обратим внимание на то, какой максимальный разгон по частоте позволяют достичь 4-гигабайтные комплекты. Первый тест был проведён при установке таймингов по схеме 9-9-9-27 и использовании напряжения 1,9 В.


По результатам этого испытания память компании OCZ заслуживает реабилитации. Она смогла разогнаться до рекордной частоты, хотя важный психологический рубеж DDR3-1800 покорить ей всё-таки не удалось. На втором месте оказались модули Aeneon, которые неожиданно смогли показать неплохой потенциал разгона, даже несмотря на использование низкого напряжения питания. Все остальные модули памяти разгоняются примерно одинаково, за исключением комплекта Corsair TW3X4G1600C9DHXNV, который откровенно разочаровал своими результатами. Несмотря на то, что эта память — одна из самых дорогих среди DDR3-1600 SDRAM, её частотный потенциал существенно уступает всем остальным конкурентам, даже при использовании «слабых» задержек 9-9-9-27.

Второй тест на разгон был направлен на выяснение максимальных частот, при которых комплекты из 2-гигабайтных модулей памяти смогут работать при агрессивных таймингах 7-7-7-20. В этом тесте мы также использовали напряжение 1,9 В для всей DDR3 SDRAM, за исключением модулей Aeneon, которые испытывались при напряжении 1,6 В.


Первое место по разгону с CAS Latency 7, занятое модулями Wintec 3AXH1600C9-4096K кажется чем-то нереальным, ведь, если верить спецификации, эти модули рассчитаны на работу при CAS Latency 9. Тем не менее, факт остаётся фактом — родство этой памяти с лучшей продукцией OCZ не может оставаться незамеченным в практическом использовании. Близкий результат показывают и «настоящие» модули OCZ.
Выводы

Собственно, все необходимые комментарии уже были даны по ходу статьи. Остаётся лишь подытожить сказанное и попытаться ответить на вопрос о востребованности DDR3-памяти в современных LGA775-системах. Как показали наши всесторонние тесты, выход новых процессоров и наборов системной логики мало что изменил — ранее мы уже высказывали сомнения в целесообразности использования DDR3 SDRAM совместно с процессорами семейства Core 2, этой же позиции мы намерены придерживаться и сейчас. Если вы не можете ответить на вопрос, зачем конкретно вам необходима DDR3-память, не сомневаясь, выбирайте DDR2 SDRAM. Память прошлого поколения в большинстве случаев способна обеспечить не худшую производительность, чем новомодная DDR3, при этом ее стоимость будет значительно ниже.

Стремление же к использованию DDR3 памяти в составе LGA775 систем должно быть обосновано какими-то вескими причинами, например, вынашиваемыми оверклокерскими планами. А если уж вы твёрдо намерены остановить свой выбор на DDR3, то мы в первую очередь должны предостеречь от приобретения памяти с низкой частотой. Доступная на рынке DDR3-1333 SDRAM может быть полезна лишь в системах с процессором Core i7, LGA775-платформы же с такой памятью по своей производительности эквиваленты системам с DDR2-1067.

В этом свете наилучшим вариантом по распространённости, а также сочетанию цены и производительности среди DDR3 обладает DDR3-1600 SDRAM. Однако нужно иметь в виду, что всеми преимуществами этой памяти в LGA775-платформах могут воспользоваться лишь оверклокеры. Только значительное увеличение частоты фронтальной шины даёт возможность получить от DDR3-1600 SDRAM ощутимое превосходство над памятью прошлого поколения. Кроме того, высокая частота такой памяти увеличивает гибкость конфигурирования параметров системы, поэтому энтузиастам DDR3-1600 может оказаться полезной и для покорения высоких значений частоты шины FSB.

Что же касается конкретных рекомендаций по выбору 4-гигабайтных комплектов DDR3-1600 SDRAM, то, как показало наше тестирование, какие-то указания дать достаточно сложно. Память разных производителей имеет разную доступность в продаже, её цена сильно отличается, а практические параметры при этом зачастую похожи. Тем не менее, мы бы в первую очередь советовали обращать внимание на ту память, которая лучше работает при низких задержках. Среди модулей, протестированных нашей лабораторией, это — память компаний Mushkin и OCZ. Плюс, нельзя не упомянуть и выдающийся DDR3-1600 комплект из 2-гигабайтных модулей Wintec, который, несмотря на скромность заявленных характеристик, на практике по своим возможностям неожиданно оказался идентичен одним из лучших модулей компании OCZ.
Другие материалы по данной теме

Gigabyte GA-EP45T-Extreme — универсальная плата для разгона процессоров
Обзор материнской платы ASUS P5Q Pro
Разгон Core i7-920: подробное руководство